【单选题】
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A、 二氧化硅
B、 氮化硅
C、 光刻胶
D、 去离子水
题目答案
答案解析
略
A、 二氧化硅
B、 氮化硅
C、 光刻胶
D、 去离子水